MLC,TLC

TLC：Trinary-Level Cell（三層存儲單元）,每個cell單元存儲3bit信息，電壓從000到111有8種變化，容量比MLC更大，但控制更複雜，速度也更慢。

... MLC TLC QLC. 這字頭的S M T Q 還有未來可能的P H. 這都是區分每個儲存單元有幾bit 也就是說: 這些字頭決定了白紙上橡皮擦一次擦除幾個字 SLC = 一擦1字.

TLC(Triple Level Cell)儲存三位元資料於每個記憶單元，使其在同容量的NAND 快閃裝置內儲存三倍的資料量。同時，TLC較上述的SLC和MLC提供最低的製造成本。然而，TLC相較MLC多 ...

上图是一个简易的对比，用来形容三种内存颗粒的容量及电荷，SLC只有两种电荷变化，MLC有4种，TLC则有8种。下图更为形象和易于理解。

TLC的全稱是Triple-LevelCell，意為三層存儲單元，每個cell單元存儲3bit訊息，也就是說容量在MLC的基礎上再提升50%，當然電壓控制也要更複雜。雖然TLC的閃存 ...

在三階儲存單元(TLC) NAND 中，每個儲存單元內可儲存3 個資訊位元。每個儲存單元內可儲存的資訊位元數增加，因而降低了價格成本，同時提升儲存容量。但其P/E 循環次數僅3,000 ...

MLC：寫入壽命少SLC 一半，約5萬次。 TLC：寫入壽命少MLC 一半，約2.5～3 萬次。 只有寫入才消耗寫入壽命，純粹讀取不消耗壽命。 上面是理論數據，實際上SSD 都有 ...

TLC NAND Flash進一步增加存儲密度，每個存儲單元存儲三位信息。TLC NAND的成本甚至低於MLC NAND，使其成為消費電子產品和主流SSD的有吸引力選擇。例如， CL4、CA6和CVB SSD都 ...

由於SSD電路板規格具有行業標準尺寸，因此同樣的單元物理空間下，多級單元（MLC）能使容量翻倍，三級單元（TLC）更能使容量變為三倍，基於這種發展，為SSD趨向大 ...

面向低錯誤率而設計的多層單元有時稱之為企業級MLC（eMLC）。 三層單元（Triple-level cells，縮寫TLC）是MLC記憶體的一種子類型，並隨著MLC記憶體的演變而有著較混亂的命名法。